原廠單季度營收低谷已過,部分高端存儲價格已現(xiàn)漲勢,預(yù)計23H2供需關(guān)系持續(xù)改善,部分產(chǎn)品價格有望回暖。綜合主要海外存儲大廠給出的CY23H2指引,我們認(rèn)為隨海外大廠稼動控制,存儲供需改善,行業(yè)庫存持續(xù)去化,主流存儲價格下半年有望持續(xù)回暖,我們看好產(chǎn)業(yè)鏈公司23H2業(yè)績底部復(fù)蘇;隨AI服務(wù)器市場高速增長,有望驅(qū)動HBM出貨量及占比快速提升,看好國內(nèi)進(jìn)行HBM前瞻布局的相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈公司。建議關(guān)注:1)存儲模組;2)存儲芯片設(shè)計;3)存儲配套芯片。
【資料圖】
▍存儲器價格情況:
DRAM方面:7月高端產(chǎn)品價格已現(xiàn)漲勢,環(huán)比-8.33%~+10.10%,本輪高點(diǎn)21年6月至23年7月累計跌幅為69%~83%。高端DRAM(DDR5)價格有所上漲,7月漲幅0%~10.10%,主流DRAM(DDR4)價格仍下跌,7月跌幅在1.02%~7.92%,較6月有所擴(kuò)大(6月跌幅1.37%~3.81%),利基DRAM(DDR3)價格跌幅在3.96%~8.33%(6月跌幅0.98%~7.69%),目前價格處于周期底部。我們認(rèn)為,雖然供應(yīng)商減產(chǎn)不及需求走弱速度,但相較23Q1,部分產(chǎn)品23Q2均價季跌幅有收縮趨勢,根據(jù)TrendForce,23Q2 DRAM跌幅收縮至13%-18%,其中,PC及Server DRAM跌幅為15%-20%;Mobile DRAM跌幅為13%-18%。TrendForce預(yù)計,受DRAM廠商陸續(xù)減產(chǎn)影響,整體DRAM供給逐季減少,加上季節(jié)性需求支撐減輕供應(yīng)商庫存壓力,23Q3跌幅將進(jìn)一步收縮至0%-5%,同時LPDDR5產(chǎn)品價格有望上漲0~5%。
NAND Flash方面:7月價格止跌回升,環(huán)比0.00%~+1.42%(512GB大容量首次環(huán)比上漲),本輪高點(diǎn)21年7月至23年6月累計跌幅為47%~71%。23H2旺季備貨周期將至,盡管今年需求低迷導(dǎo)致終端出貨持續(xù)下修,市場仍認(rèn)為23H2終端出貨量會優(yōu)于23H1,采購量有機(jī)會逐季增加;由于多數(shù)供應(yīng)商已開始減產(chǎn),庫存壓力有望在Q3下降,三星等原廠報價態(tài)度強(qiáng)勢,Q3合約價有較大機(jī)率觸底反彈,并刺激買方采購意愿,加速供需平衡。TrendForce預(yù)計23Q3起NAND Flash Wafer均價環(huán)比漲幅0%-5%,Q4漲幅將進(jìn)一步擴(kuò)大至8%~13%。
存儲模組方面:今年2月開始價格下跌幅度收窄,7月價格基本穩(wěn)定,本輪高點(diǎn)22年3月至23年7月累計跌幅為45%~64%。據(jù)CFM閃存市場,截至6月27日,近半年DDR4 SODIMM(8GB 3200)價格由約17美金降至不足14美金,降幅約19%,OEM SSD(512GB SATA)由約26.5美金降至19.5美金,降幅約26%。11月下旬以來降幅有所收窄,我們認(rèn)為模組廠商產(chǎn)品單價有望于23H2企穩(wěn)回暖,隨下游需求復(fù)蘇而獲得銷量彈性,同時上游晶圓成本處于底部,有利于模組環(huán)節(jié)盈利水平修復(fù)。
▍交期及價格預(yù)測:貨期趨勢整體縮短,存儲器模塊交期仍維持穩(wěn)定,跌價已近尾聲。
根據(jù)TrendForce,23Q2 NAND Flash價格跌幅為10~15%,預(yù)計23Q3價格跌幅收縮至3~8%,供需錯配下仍壓制NAND Flash價格止跌回穩(wěn);NAND Flash Wafer均價預(yù)估將率先上漲,SSD、eMMC、UFS等模組產(chǎn)品則因下游客戶拉貨遲緩價格續(xù)跌,Q4 NAND整體均價有望止跌回升;根據(jù)TrendForce,23Q2 DRAM價格跌幅收縮至13%~18%,受DRAM廠商陸續(xù)減產(chǎn)影響,整體DRAM供給逐季減少,加上季節(jié)性需求支撐減輕供應(yīng)商庫存壓力,我們預(yù)計23Q3跌幅將進(jìn)一步收縮至0%~5%。
▍廠商數(shù)據(jù):
主流存儲器價格承壓,中國臺灣存儲市場的重點(diǎn)公司如旺宏、華邦電、南亞科、力積電營收同比下降,旺宏和力積電環(huán)比上升,華邦電和南亞科環(huán)比下降。旺宏7月營收同比-39.48%,環(huán)比+1.95%;華邦電7月營收同比-14.56%,環(huán)比-9.64%;南亞科7月營收同比-44.56%,環(huán)比-0.85%;力積電7月營收同比-49.06%,環(huán)比+0.10%。
▍供給側(cè)與需求側(cè)近況更新:
供給端:為應(yīng)對下游需求持續(xù)疲軟、行業(yè)供過于求,部分廠商調(diào)降投片量,同時下調(diào)2023年資本開支及產(chǎn)能提升預(yù)期。據(jù)各公司業(yè)績發(fā)布會,美光FY2023資本支出降至70億美元,同比-40%以上,并將對DRAM和NAND進(jìn)一步減產(chǎn)30%至2024年;SK海力士FY2023資本開支將同比削減超50%,并決定對NAND進(jìn)一步減產(chǎn)5-10%;西部數(shù)據(jù)預(yù)計FY2024資本支出將大幅下降;三星平澤與西安廠擴(kuò)大減產(chǎn)幅度;23H2大廠庫存消耗速度將加快,促使半導(dǎo)體整體產(chǎn)業(yè)狀況改善。量產(chǎn)、擴(kuò)產(chǎn)方面,SK海力士24GB LPDDR5X DRAM已量產(chǎn)并供貨OPPO;此外,SK海力士展示全球最高層321層NAND閃存樣品,計劃2025H1量產(chǎn)。從歷史周期看,資本開支增速與市場增速強(qiáng)相關(guān)性,隨著各大存儲廠商陸續(xù)下調(diào)2023年資本開支計劃并降低稼動率,我們預(yù)計23年行業(yè)供給增速將低于需求增速,供需將逐步達(dá)到平衡,有助于庫存修復(fù),我們看好存儲板塊周期2023年下半年見底。
需求端:下游廠商“降成本、去庫存”趨勢持續(xù),看好需求逐步復(fù)蘇。2022年需求疲軟下行業(yè)庫存持續(xù)攀升,各大終端廠商將把重心持續(xù)放在去庫存及降成本上,22Q4末華碩、聯(lián)想、小米、浪潮庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)相較22Q2末已有所好轉(zhuǎn)。但小米和浪潮由于庫存原材料增長、提前備貨等原因,23Q1庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)分別為87/179天,有所增加。我們認(rèn)為,目前終端廠商已處于去庫存的后期,全年出貨有望呈現(xiàn)前低后高。需求量來看,我們看好23H2至24年下游需求回暖趨勢:1)服務(wù)器端,我們預(yù)計23Q3需求將有望實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長,看好23H2 DDR5在服務(wù)器端需求提升,同時AI服務(wù)器DRAM和NAND的容量需求(content)是傳統(tǒng)的6~8x和3x;2)PC端,我們預(yù)計23年P(guān)C出貨同比下滑低兩位數(shù)(low-double digit);3)手機(jī)及智能終端,我們預(yù)計23年智能手機(jī)出貨同比下降中個位數(shù)(mid-single digit),年內(nèi)前低后高,庫存逐季改善;4)汽車端穩(wěn)健增長,預(yù)計23Q3工業(yè)市場出現(xiàn)初步復(fù)蘇跡象,行業(yè)庫存及需求有望在23H2持續(xù)改善。
▍海外廠商業(yè)績追蹤:從海外大廠業(yè)績看存儲行業(yè)復(fù)蘇。
海外存儲大廠均已發(fā)布CY23Q2業(yè)績:美光實(shí)現(xiàn)營收37.5億美元(-57% YoY,+2% QoQ);三星電子DS板塊下存儲業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)營收8.97萬億韓元(-57% YoY,+1% QoQ);SK海力士實(shí)現(xiàn)營收7.31萬億韓元(-47% YoY,+44% QoQ);西部數(shù)據(jù)Flash業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)營收13.77億美元(-43% YoY,+5% QoQ)。美光、三星電子(存儲業(yè)務(wù))、SK海力士、西部數(shù)據(jù)(Flash業(yè)務(wù))Q2營收均實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長,存儲板塊營收低谷已過。
▍投資建議:
原廠單季度營收低谷已過,部分高端存儲價格已現(xiàn)漲勢,預(yù)計23H2供需關(guān)系持續(xù)改善,部分產(chǎn)品價格有望回暖。綜合主要海外存儲大廠給出的CY23H2指引,我們認(rèn)為隨海外大廠稼動控制,存儲供需改善,行業(yè)庫存持續(xù)去化,主流存儲價格下半年有望持續(xù)回暖,我們看好產(chǎn)業(yè)鏈公司23H2業(yè)績底部復(fù)蘇;隨AI服務(wù)器市場高速增長,有望驅(qū)動HBM出貨量及占比快速提升,看好國內(nèi)進(jìn)行HBM前瞻布局的相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈公司。建議關(guān)注:1)存儲模組;2)存儲芯片設(shè)計;3)存儲配套芯片。
▍風(fēng)險因素:
下游需求復(fù)蘇不及預(yù)期;芯片價格持續(xù)下跌;行業(yè)競爭加劇;新技術(shù)研發(fā)進(jìn)展緩慢;國際地緣政治沖突等。
關(guān)鍵詞:
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