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IT之家 7 月 7 日消息,來自東京工業(yè)大學(xué)的科研團(tuán)隊(duì)近日研發(fā)出可堆疊內(nèi)存,其傳輸速度是 HBM2E 內(nèi)存的 4 倍,功耗僅為五分之一。
科研團(tuán)隊(duì)將其成為 BBCube,最大的亮點(diǎn)災(zāi)區(qū)去除了傳統(tǒng)內(nèi)存的逐層焊接晶體布局。
科研團(tuán)隊(duì)在 2023 年 6 月舉行的 VLSI IEEE Symposium 2023 大會(huì)上得到了同行論證,不僅提出了這一新概念,還詳細(xì)描述了生產(chǎn)這種存儲(chǔ)器的技術(shù)流程。
IT之家注:高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)是三星電子、超微半導(dǎo)體和 SK 海力士發(fā)起的一種基于 3D 堆棧工藝的高性能 DRAM,適用于高存儲(chǔ)器帶寬需求的應(yīng)用場(chǎng)合,像是圖形處理器、網(wǎng)絡(luò)交換及轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備等。
生產(chǎn) HBM 內(nèi)存的現(xiàn)有方法限制了其功能,堆疊中的每一層(DRAM 芯片)不能制造得比特定規(guī)格更薄,并且層之間的球接觸(ball contacts)數(shù)量不能增加超過特定值,否則存在機(jī)械損壞和短路的風(fēng)險(xiǎn)。
科研團(tuán)隊(duì)提議在 DRAM 封裝過程中去除球接觸,可以讓芯片變得更薄,降低每一層的機(jī)械應(yīng)力,縮短 TSV 的過孔線。
研究團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人 Takayuki Ohba 教授表示:“BBCube 3D 有潛力實(shí)現(xiàn)每秒 1.6 TB 的吞吐量,比 DDR5 快 30 倍,比 HBM2E 快四倍?!?/p>
IT之家在此附上詳細(xì)論文地址,感興趣的用戶可以深入閱讀。
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