最快一代的PCIe數據傳輸速率比起Gen 3翻倍,并減少延遲,提供卓越的讀寫性能
專業存儲和內存解決方案的全球領導者ATP推出其最新的高速N601系列M.2 2280和U.2固態硬盤(SSD),具有第四代PCIe?接口并支持NVMe?協議。新的ATP PCIe Gen 4 SSD的數據傳輸速率達到16 GT /s,是上一代的兩倍,每個PCIe通道的帶寬為2GB/s。
(資料圖片僅供參考)
使用x4通道,這些SSD的最大帶寬為8 GB/s,滿足當今苛刻應用中對高速數據傳輸日益增長的需求,并使其適用于讀/寫密集型,任務關鍵型工業應用,如網絡/服務器,5G,數據記錄,監控和成像,其性能與市場上主流的PCIe第4代消費級SSD相當,甚至更好。
176層NAND閃存,板載DRAM提供卓越的QoS,每GB成本更低,采用頂級 512 Gbit芯片封裝
N601系列基于創新的176層3D NAND閃存,采用頂級 512 Gbit芯片封裝,不僅在64層技術的基礎上實現了性能提升,而且還實現了價格改善,降低了每GB成本。
M.2 2280固態硬盤(SSD)的容量從240GB到3.84 TB不等,而U.2固態硬盤(SSD)的容量從960GB到7.68 TB不等,為不同的存儲需求提供了更具成本效益的選擇
與上一代相比,N601系列具有杰出的服務質量(QoS)評級,具有最佳的一致性和可預測性,具有更高的讀/寫性能,高IOPS,低寫放大指數(WAI)和低延遲,這得益于其板載DRAM。與無DRAM方案相比,板載DRAM在長時間運行中提供更高的持續性能
未來就緒,長期供應保障
最大化SSD的使用壽命,以及在類似的消費級同類產品停止生產后很長一段時間內替代組件的有效性,對于企業從投資中獲得最大收益非常重要。這就是為什么ATP致力于長期供貨支持。
“我們很高興推出這一基于176層三層單元(TLC) NAND閃存的新產品線。雖然有2XX+層的NAND新版本即將發布,但它們將專注于1TB和更大的密度尺寸。考慮到許多嵌入式和專業應用對中低容量SSD設備的持續需求,512 Gbit的176層3D TLC NAND仍然是最佳芯片密度。
“除了具有競爭力的價格外,這一代產品還將在所有溫度范圍內改善延遲和可靠性。也許對我們的客戶群更重要的是,這一代將對于可預見的未來提供產品長期供貨。ATP總裁兼首席執行官Jeff Hsieh表示:“我們可以自信地與需要5年以上產品長期供貨規劃的客戶合作。”
運行可靠且安全
N601系列提供了許多可靠性、安全性和數據完整性功能,例如:
End-to-end數據保護,TRIM功能支持,LDPC糾錯抗硫化電阻器可抵御硫污染的破壞性影響,即使在高含硫量的環境中也能保證持續可靠的運行基于硬件的AES 256位加密和可選的TCG Opal 2.0/ IEEE 1667安全性,用于自加密驅動器(SED)N601Sc系列在商業級溫度(0℃至70℃)額定值的不同溫度變化下提供可靠的運行。工業級溫度(-40℃至85℃)的N651Si系列將在不久之后發布。熱節流(Thermal throttling)功能:智能調節每操作單位時間的工作量。節流階段是預先配置的,允許控制器有效地管理熱量的產生,以保持SSD冷卻。這確保了穩定的持續性能,并防止熱量損壞設備。同時也可根據項目和客戶需求提供外加散熱器選項。斷電保護 (PLP)機制。N601系列U.2和即將推出的工業級溫度M.2 2280固態硬盤具有基于硬件的PLP。板載電容保持足夠長的電力,以確保最后的讀/寫/擦除命令完成,數據安全地存儲在非易失性閃存中。基于微控制器單元(MCU)的設計允許PLP陣列在各種溫度,電源故障和充電狀態下智能執行,以保護設備和數據。另一方面,商業級溫度M.2 2280固態硬盤具有基于固件的PLP,可以有效地保護已寫入的數據不會因為掉電而丟失。關鍵任務應用:我們與您一起構建
根據項目支持和客戶要求,ATP可以提供硬件/固件定制,熱節流解決方案定制以及工程聯合驗證和協作。
為了確保關鍵任務應用的設計可靠性,ATP執行廣泛的測試,全面的設計/產品特征和規格驗證,以及批量生產(MP)階段的定制測試,例如老化,電源循環,特定測試腳本等。
產品亮點
*By Project Support
ATP_Gen 4 M.2 2280 NVMe
ATP Electronics Launches Industrial 176-Layer PCIe Gen 4 x4 M.2 U.2 SSDs Offering Excellent RW Performance 7.68 TB Highest Capacity
ATP_Gen 4 M.2 2280 NVMe_pic3
ATP Electronics Launches Industrial 176-Layer PCIe Gen 4 x4 M.2 U.2 SSDs Offering Excellent RW Performance 7.68 TB Highest Capacity
ATP-Gen4-U.2-NVMe_N601Sc
ATP Electronics Launches Industrial 176-Layer PCIe Gen 4 x4 M.2 U.2 SSDs Offering Excellent RW Performance 7.68 TB Highest Capacity
ATP_M.2-NVMe_2021_Fin-Type
ATP Electronics Launches Industrial 176-Layer PCIe Gen 4 x4 M.2 U.2 SSDs Offering Excellent RW Performance 7.68 TB Highest Capacity
ATP-Gen4-U.2-NVMe_N651Si_7.68TB
ATP Electronics Launches Industrial 176-Layer PCIe Gen 4 x4 M.2 U.2 SSDs Offering Excellent RW Performance 7.68 TB Highest Capacity
Gen-4-x4-M.2_U.2-SSDs
ATP Electronics Launches Industrial 176-Layer PCIe Gen 4 x4 M.2 U.2 SSDs Offering Excellent RW Performance 7.68 TB Highest Capacity
關鍵詞:
版權與免責聲明:
1 本網注明“來源:×××”(非商業周刊網)的作品,均轉載自其它媒體,轉載目的在于傳遞更多信息,并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責,本網不承擔此類稿件侵權行為的連帶責任。
2 在本網的新聞頁面或BBS上進行跟帖或發表言論者,文責自負。
3 相關信息并未經過本網站證實,不對您構成任何投資建議,據此操作,風險自擔。
4 如涉及作品內容、版權等其它問題,請在30日內同本網聯系。